Томский ИХТЦ начинает производство бромида водорода для микроэлектроники
Этот газ используется для производства микросхем. Теперь множество продуктов в самых разных отраслях будет выпускаться на отечественной базе.
В Томске создана первая в России установка для производства высокочистого бромида водорода (HBr) чистотой 5N, предназначенного для использования в микроэлектронике. Разработку выполнил Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) совместно с Томским государственным университетом по заказу Минпромторга России.
Газ, как фундамент отрасли
Общий объем финансирования проекта составил 260,5 млн рублей. Производственная установка размещена на опытно-промышленной площадке ИХТЦ в Томске, готова к запуску и способна выпускать до 650 кг высокочистого HBr в год. Ожидается, что в первом полугодии 2026 года 100 кг данного материала уже будет поставлено на российские предприятия для нужд микроэлектроники.
Сверхчистый бромид водорода используется как технологический газ в процессах плазмохимического травления кремния и поликремния при производстве микросхем. Высокая чистота вещества необходима для предотвращения загрязнений и дефектов при формировании субмикронных структур интегральных схем. Поэтому подобное производство помогает формировать отечественную химическую базу для микроэлектроники, которая до этого во многом зависела от импорта технологических газов. Теперь множество продуктов – банковские карты, элементы транспортных систем, телекоммуникации, электроника – будет производиться с использованием отечественных микросхем.
Рынок в 10 млрд ежегодно
Производство микросхем – ключевой элемент технологической цепочки микроэлектронного производства. Поэтому отечественный HBr уже активно рассматривается ключевыми потребителями отрасли – ведь с появлением собственного сырья для них открываются широкие перспективы.
Освоение производства технологических газов высокой чистоты дает возможность создавать новые производства – трибромида бора, хлоридов и фторидов высокой чистоты, газов для литографии и травления. Если успешно масштабировать эту технологию, то уже в ближайшем десятилетии можно создать промышленное производство электронных газов и рынок специальной химии для микроэлектроники с ежегодным объемом в 5-10 млрд рублей. При этом доля импорта электронных газов снизится с 80-90% до 30-40%.
Базовая господдержка
Развитие сегмента электронной химии в последние годы стало одним из направлений государственной поддержки микроэлектронной отрасли. Отечественные научные центры начали разрабатывать технологии получения сверхчистых химических веществ для полупроводников. И проект ТГУ и ИХТЦ оказался в этом тренде.
А тренд этот намного шире, чем может показаться на первый взгляд. Россия нацелена на создание собственной базы материалов, включая технологические газы, химические реагенты и кремниевые материалы. Это необходимо для реализации программ господдержки отрасли – в частности, госпрограммы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности» (куратор – вице-премьер Денис Мантуров).
Господдержка уже приносит первые плоды: премьер-министр Российской Федерации Михаил Мишустин заявил о росте российской отрасли микроэлектроники. Что же касается отечественной радиоэлектроники, то, по прогнозам, этот сегмент станет локомотивом импортозамещения и экспорта технологий.
Прибыльная индустрия
Томский проект может стать отправной точкой для развития российской индустрии электронной химии, включающей десятки типов высокочистых веществ. Благодаря развитию микроэлектроники, телекоммуникаций и ИИ мировой рынок электрохимии растет в среднем на 6-8% в год. А значит, и в России его потенциал огромен – тем более, что производство электронных газов – ниша высокомаржинальная (при относительно небольших объемах производства). Даже небольшая установка мощностью 600–1000 кг в год может обеспечивать десятки миллионов рублей выручки.
В ближайшие годы можно ожидать формирования внутреннего рынка специальных химических газов. Появятся новые производственные площадки – и зависимость от импорта окончательно сведется к минимуму. А российские университеты и инжиниринговые центры заметно укрепят свою научно-техническую базу. Производство материалов для полупроводников можно будет масштабировать на любые уровни.
